General MotorsVentures anunció una inversión de 10 millones de dólares en Forge Nano, una empresa de ciencia de materiales especializada en deposición de capas atómicas y firmó un acuerdo de asociación estratégica con Forge Nano para explorar aplicaciones de esta técnica en el desarrollo de baterías.
La deposición de capas atómicas es un proceso innovador de ingeniería de superficies que aplica recubrimientos de película delgada a materiales de batería, permitiendo controlar la química y la estructura a escala atómica.
Esto significa que utilizando la tecnología Atomic Armor, Forge Nano desarrollará recubrimientos de película delgada que ayudarán a GM a lograr mejoras en el rendimiento de las baterías y reducciones de costos.
Además, la empresa fabricará prototipos de celdas de iones de litio en su sede de Thornton, Colorado, para demostrar las capacidades de su tecnología.
Esta inversión subraya el compromiso continuo de GM en la búsqueda de soluciones tecnológicas que optimicen el rendimiento de las baterías y reduzcan los costos de los vehículos eléctricos, haciéndolos una opción atractiva para todos los consumidores.
Con esto, Forge Nano se posiciona para seguir perfeccionando su tecnología, ya que planea expandir su negocio de recubrimiento de materiales y su presencia en el ámbito de los semiconductores.
“El objetivo principal de GM Ventures es incorporar tecnología disruptiva al ecosistema de GM para mejorar productos y procesos”, dijo Anirvan Coomer, Director General de GM Ventures. “La tecnología Atomic Armor de Forge Nano tiene un potencial innovador para nuestros materiales de baterías. Ya han demostrado su capacidad para mejorar el rendimiento de los cátodos, que son el componente más costoso de las celdas de batería. Esto podría generar beneficios tanto para los clientes como para nuestro negocio”.
Paul Lichty, Director General de Forge Nano dijo que “la inversión de General Motors permitirá mejorar aún más el rendimiento y la durabilidad de los materiales de las baterías, al mismo tiempo que expandimos nuestra presencia en áreas clave como los semiconductores”.